为半导体蚀刻和CVD清洁

最后更新于结婚,2022年12月21日|排放的因素

一级

缺省排放因子一级方法如下表6.2中给出。

在使用一级,它不是好的做法修改,以任何方式,FCs的设置或排放因子的值在表6.2。库存编译器不应该结合使用一级排放估计方法和排放估计使用2或3层的方法。例如,库存编译器可能不使用CF4的一级因素来估计CF4的排放从半导体和把它与其他俱乐部气体的结果从一个二线或三线的方法。还应该指出的是,一级FC排放因素表6.2中给出不应该用于任何目的除了评估年度FC-aggregate排放量半导体,TFT-FPD或光伏制造业国家温室气体清单编制。

12个来源和发展的方法排放的因素在第六章,如果没有显式地提供,可以在伯顿(2006)。

表6.2 一级气电子制造业的特殊技能排放因素FC排放
电子产品行业	排放因子(EF)(衬底加工的单位面积上的质量)
电子产品行业	cf4	C2F6	CHF3	C3F8	NF3	SF6气体	C6F14
半导体,kg / m2	0.9	1。	0.04	0.05	0.04	0.2	NA
TFT-FPDs, g / m2	0.5	NA	NA	NA	0.9	4所示。	NA
PV-cellsa, g / m2	5	0.2	NA	NA	NA	NA	NA
传热Fluidsb,kg / m2	NA	NA	NA	NA	NA	NA	0.3
EFs Fthenakis改编自出版工作,Alsema Agostinelli。(Fthenakis, 2005)注意因素只适用于silicon-specific减排技术和应用。 b EF假定信托基金有相同的GWP C6Fi4代表一个合适的代理。这个描述的因素是伯顿的起源,2004年,是部分基于Tuma和Tousignant (2001)。

层2

正如上面所讨论的,基于简单的电子产品生产排放的因素变量不是足够的为所有的帐户因素的影响排放。以下数据为每个参数是必要的准备一个可靠的估计:

•过程工具的品牌;

•减排技术。

参数的默认值被开发出来用于层2 a和2 b方法(参见图6.1)的基础上直接测量,文学,和专家判断(见表6.3、6.4和6.5层2缺省排放因子FCs Semiconductor12排放,TFT-FPD13,分别和PV12制造业)。考虑到困难代表电子行业内的不同的生产条件,默认发射参数本质上是不确定的。虽然精度可以提高更大的测量数据和因素在哪里应用于类似的流程使用类似或相同的化学配方,开发违约因素必然涉及某种形式的平均的所有数据。

电子行业专家预计,快速技术创新通过化学和设备供应商和电子产品制造商将导致主要在未来减排(即。,2006年起)。因此,这些类别的排放因素应该发展,以反映这些变化。半导体和TFT-FPD行业建立了机制通过世界半导体协会和世界液晶行业合作委员会,分别评估全球排放的因素。光伏产业可能会考虑建立一个机制来跟踪光伏制造期间PFC排放。(Fthenakis, 2006)

FC-use光伏生产过程中可能会或可能不会增加。现有证据表明,在这个行业应该FC-use成长,将努力控制排放量(Agostinelli等,2004;Rentsch等,2005)。定期库存编译器可能希望咨询这个行业更好地理解全球和国家环境。

表6.3和6.4 NF3包括两项:Remote-NF3和NF3。第一个指膜清洗剂的清洗方法由NF3生产(F-atoms)等离子体上游(远程)室被清洗。最后,表示只是NF3,指的是一种原位NF3清洗过程,类似于其他清洁的过程像C2F6和C3F8气体。

默认值为天然气剩余的部分集装箱(脚跟)是0.10。

13排放因素(EFs) TFT-FPD制造简单(无关紧要的)均由气体——发表和知识价值Nishida et al。(2005)。

第六章:电子工业排放

表6.3

二级缺省排放因子FC排放半导体制造业

温室气体和焦油GWP

没有焦油GWP温室气体

Non-GHGs生产FC副产品*

过程气体(我)

cf4

c2f6

chfj

CH2F2

CjFs

远程

nf3

sf6气体

c4f6

c5f8

c4f8o

cof2

2层

1-Ui

0.9

0.6

0.4

0.1

0.4

0.1

0.02

0.2

0.1

Bcf4

0.2

0.07

0.08

0.1

0.02吨

0.09

0.3

0.1

0.02吨

Bc2f6

0.1

0.2

0.04

Bc3f8

0.04

层2 b

腐蚀1-Ui

0.7 *

0.4 *

0.06 *

0.2 *

0.2

0.1

0.2

CVD 1-Ui

0.9

0.6

0.4

0.1

0.02

0.2

0.1

腐蚀BCF4

0.4 *

0.07 *

0.08 *

0.2

0.3 *

0.2

腐蚀BC2F6

0.2

0.2 *

0.2

CVD BCF4

0.1

0.02度

o.it

0.1

0.02度

CVD BC2F6

CVD BC3F8

0.04

注:NA表示不适用基于当前可用的信息

缺省排放因子F2和COF2可能适用于清洗性能与CIF3 CVD反应器。

估计包括此外腐蚀过程t估计反映了材料的性能,硬质合金,此外腐蚀过程可能包含C-containing FC添加剂

表6.4

二级缺省排放因子FC排放LCD制造业

温室气体和焦油GWP

没有焦油GWP温室气体

Non-GHGs生产FC副产品

过程气体(我)

CF4

c2f6

chf3

CH2F2

C3FS

远程

nf3

sf6气体

c4f6

c5f8

c4f8o

cof2

2层

1-Ui

0.6

0.2

0.1

0.03

0.3

0.6

bcf4

0.07

0.009

bchf3

0.02

bc2f6

0.05

Bc3f8

层2 b

腐蚀1-Ui

0.6

0.2

0.1

0.3

CVD 1-Ui

0.03

0.3

0.9

腐蚀BCF4

0.07

0.009

腐蚀BCHf3

0.02

腐蚀BC2F6

0.05

CVD BCF4

CVD BC2F6

CVD BC3F8

注:NA表示不适用基于当前可用的信息

第六章:电子工业排放

表6.5

二级缺省排放因子FC排放光伏制造业

温室气体和焦油GWP

没有焦油GWP温室气体

Non-GHGs生产FC副产品

过程气体(我)

CF4

c2f6

chf3

CH2F2

C3F8

c-C4F8

远程

nf3

sf6气体

c4f6

c5f8

c4f8o

cof2

2层

1-Ui

0.7

0.6

0.4

0.2

0.4

bcf4

0.2

0.1

0.05

bc2f6

0.1

bc3f8

层2 b

腐蚀1-Ui

0.7

0.4

0.2

0.4

CVD 1-Ui

0.6

0.1

0.3

0.4

腐蚀BCF4

0.2

0.1

腐蚀BC2F6

0.1

CVD BCF4

0.2

0.1

CVD BC2F6

CVD BC3F8

注:NA表示不适用基于当前可用的信息

表6.6

层2 a和2 b违约效率参数对电子行业FC减排

表6.6

层2 a和2 b默认为电子行业FC减排效率参数

排放控制技术	cf4	C2F6	CHF3	C3F8	c-C4F8	NF3f	SF6气体
Destruction0	0.9	0.9	0.9	0.9	0.9	0.95	0.9
捕获/ Recoveryd	0.75	0.9	0.9	NT	NT	NT	0.9

一个值是简单的(无关紧要的)平均破坏效率的减排技术。排放因素不适用于排放控制技术不能减弱CF4破坏或去除效率> 85%当CF4 (DRE)作为输入气体或副产品和所有其他FC气体DRE > 90%。如果制造商使用任何其他类型的排放控制技术,其破坏当使用二级方法效率是0%。b层2排放控制技术因素仅仅适用于电热fuelled-combustion,等离子体和催化设备

•是专门设计用于减弱FCs,

•中使用过程窗口,按照指定的制造商的维修时间表和指定

•测量和已被证实在实际工艺条件下,用一个在技术上合理协议,占已知包括测量错误,例如,CF4副产品形成期间C2F6和稀释的影响,使用氧或减轻在燃烧系统

c值平均燃料燃烧、等离子体催化治理技术。d值平均低温和膜捕获和恢复技术。

e供应商数据验证了半导体制造商。因素应该只用于当一个排放控制技术是利用和维护按照减轻制造商规范。f使用NF3的腐蚀过程通常是小相比,心血管疾病。NF3的总排放量腐蚀和化学汽相淀积层2 b通常会不会大于估计用二级或一级方法。元=不测试。

过程工具排放因素

程序计算过程工具排放因素层的2 a和2 b层方法是相同的。过程工具排放因素被定义为温室气体排放的数量除以过程中温室气体的用量。排放因子对应的(1 - U)项二级公式。例如,0.9的排放因子CF4(参见表6.3以上,2层值)意味着CF4的90%用于过程和CF4发出。

副产物排放因子计算。的主要副产品发射意义是CF4。虽然人们普遍认为唯一的CF4气体排放大量作为副产品C2F6和C3F8工具制造商和化学供应商提供的数据显示,CF4也由气体混合物(如含有CHF3或CH2F2)和c-C4F8。由于此讨论,CF4副产品排放因子计算CHF3, CH2F2, C2F6, C3F8, c-C4F8 C4F8O。C3F8例如,值为0.1时(从表6.3以上,2层值)意味着使用的10% C3F8转化成CF4。然而,C2F6也可能发出C4F6等分子的分解。如前所述,CF4也可能是蚀刻或打扫房间时形成含碳的电影。

为了计算层2 b过程工具排放因素,数据收集从工艺设备和天然气生产商。数据是根据收集的过程类型(化学气相沉积(CVD)或腐蚀)和类型的气体(例如C2F6, CF4)。用于进行排放测试的方法是实时四极质谱(QMS)和傅里叶变换红外光谱(FTIR),最著名的方法测量排放过程的工具。校准标准(通常1%的平衡混合物N2)被用来量化结果。测量协议和质量控制要求随访的指南中概述环境描述半导体设备。”(迈耶斯等人,2001)14层2 b的排放因素(见表6.3和6.4以上)收集的数据的简单(无关紧要的)平均为每个气体腐蚀和心血管疾病的一个重要人物。12、16

为了确定二级流程工具排放因素,知识的典型的半导体制造过程中使用的大量的气体是必需的。二级排放因素是获得使用行业专家提供的重量的比例每个气体腐蚀和清洗过程中使用。例如,C2F6的层2 b发射因素(表6.3)0.5(腐蚀)和0.6 (CVD)。C2F6使用蚀刻和心血管疾病之间的分布在半导体制造是20:80室清洗过程。应用这些权重每个排放因素给0.6 C2F6 Tier 2倍的一个重要人物。

14这些指导方针也通过测量平板显示器制造商FC-emissions在平板设备制造。

中相应的SF6气体分布使用TFT-FPD制造是五五开,使0.6对应二级排放因子(表6.4)含量

层3排放因子,半导体制造商使用公司或植物的值,而不是使用默认值如表6.1所示。以保证发射的质量因素,发射测试应按照认可的方法进行。16如果第三方供应商进行排放测试,半导体制造商应确保第三方供应商能够满足所有的需求修订3.0中列出的设备环境描述指南(新加坡航空,2000)。半导体制造商使用排放因素过程提供的工具设备供应商应该确保排放因素适用于他们的特定的生产过程。制造方法与工艺参数(如压力、流量)偏离中心线条件可能有不同的排放因素比制造商提供的工具。

二级排放控制技术因素的方法

排放控制技术快速发展和电子制造技术。默认的排放控制技术因素表6.6是基于测试的控制装置优化的具体过程和工具。结果将不同工具和气体流速。排放因素并非适用于所有工具或过程在半导体、液晶显示器、光伏生产设备。二级违约破坏效率参数在表6.6只适用于库存时,编译器可以通过沟通与工厂经理和随后的文档证明排放控制技术是按照制造商的规范操作和维护。如果减轻公司使用任何其他类型的设备,应假定其破坏效率是0%在Tier 2 a和b的方法。

假设排放控制技术的排放因子层2 (a和b)的方法包括:

(我)没有列出具体的排放控制技术;每个化学排放因素建立了基于成果测试期间的排放控制技术在半导体制造应用程序;

(2)排放因素时应只用于治理应用于排放,减轻制造商指定的工作范围内达到或超过表6.6中列出的因素;

(3)排放因素仅适用于部分排放控制装置,通过适当的操作和维护;排放因素不应该应用绕过控制装置时,不操作根据制造商的规范,依法维护规范。

(iv)排放因素不适用于排放控制技术不能减弱CF4在破坏去除效率> 85%当CF4 (DRE)作为输入气体或副产品和所有其他FC气体DRE > 90%。如果制造商使用任何其他类型的排放控制技术,其破坏当使用二级方法效率是0%。

默认的二级排放控制因素在表6.6中,默认为电子行业效率参数FC减排技术计算接收到的数据从设备供应商,减排技术供应商和电子设备制造商。应该注意的是,只有数据从减排设备,专门设计用于减弱FCs被用于计算。减轻数据来自燃烧设备(所有这些使用某种类型的燃料),等离子体治理设备,减轻电热设备,和催化治理设备。

表6.6中给出的值,默认为电子行业效率参数FC减排技术,所有接收到的数据的结果优化技术和对每个输入气体,四舍五入到下一个5%(例如,98%的平均0.95将四舍五入)。平均是四舍五入了,(我)排放控制装置改变他们的功效取决于气体优化摧毁,和(2)排放控制设备的有效性取决于类型的工具,他们上安装(150、200或300毫米晶圆)和FC气体飞通过特定的工具,和总排气流经排放控制装置。的排放控制装置,可以破坏99% FC优化时摧毁FC在某些工具可能摧毁的不到95%,FC优化摧毁其他东西时或者当它在一个工具用于设计,或如果FC或总排气流量超过一定的限制。电子产品制造商和治理工具制造商

15 50:50的SF6气体的平均使用率代表领导TFT-FPD制造业地区日本,韩国,台湾。这一比例是由Nishida金(2006)和(2006)。

16个国际认可的测试方法的一个例子是迈耶斯et al . (2001)。

应确保适当的大小,并且减轻系统安装维护和排放控制装置可以达到或超过缺省排放因子突出显示在表6.6。

继续阅读:质量保证质量控制所有Ods替代品的应用程序进程

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层2

过程工具排放因素

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