为半导体蚀刻和CVD清洁

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根据不同气体排放用于制造不同类型的电子设备,使用的过程(或多个约,流程类型(例如,心血管疾病或腐蚀),品牌的过程工具和减排技术的实现。

方法的选择取决于数据的可用性和决策树中,见图6.1,决策树FC排放量估算的电子制造业。使用一级排放液体FCs估计,2和3的方法和在这个section.8分别描述

连续(原位)排放监测目前被认为是在技术上和经济上不可行估计这个行业排放的手段。俱乐部定期排放测量,然而,在新流程和工具的开发,成立后commercial-ready工艺条件(也称为中心线工艺条件)。9个行业寻求引进大批量生产前,中心线过程设计,减少FC排放。然而,必须指出FC排放可以影响过程变量的变化(如压力、温度、等离子体功率FC气体流,处理时间)。因此,方法用于估计的准确性排放会影响最终的差异在生产和使用的过程参考中心线的过程。此外,FC排放控制设备的有效性取决于操作和维护设备根据制造商的规格:增加气体流动,温度设置不当,未能执行需要维护个人和集体会对性能造成负面影响。

估计排放的准确性取决于所使用的方法。所有参数的一级方法使用默认值,不占排放控制技术的使用。二级方法使用公司数据过程中使用的气体的比例和没有排放控制技术,但不区分刻蚀和清洗,并使用其他参数的默认值。Tier 2 b方法使用公司天然气的比例数据用于蚀刻和清洁和气体的比例用于处理与排放控制技术,但依赖的部分或所有其他参数的默认值。最严格的方法,三线方法,需要一套完整的与进程相关的值,而不是默认值。

表6.1总结了数据需求的分层为电子制造业排放估算方法。

7,一个商业混合使用库存编译器将需要确保混合物的质量转换成二氧化碳等价物使用适当的转换因子。

8如图6.1所示的逻辑没有显示结合层改善的可能性的估计排放。例如,改进的估计排放可能通过使用层特定气体和过程和3层2 b为其他气体和过程,而不是只使用层2 b的方法。同样,Tier 2 a和2 b方法融合可能产生改进估计比只使用2层。然而,一级法不应与其他的方法相结合。

9中心线条件指的条件设备制造商规范他们的设备出售。这些规格名义气体流动,燃烧室压力,处理时间,等离子电源等。是常见的半导体制造商为特殊需要修改这些条件优化。

表6.1 信息源所需完成分级排放估算的方法 电子产品制造
	数据	一级	2层	层2 b	3级
过程气体进入工具	FCip =公斤天然气我输入具体过程p或者小的一组常见过程工具(如氮化硅腐蚀)。				米
	FCip =公斤的气我送入广泛过程类别(例如,腐蚀或CVD室清洁)。		米	(腐蚀)& M (CVD)
	h =剩余部分的气体集装箱使用后(脚跟)。		D	D	米
过程气体反应和破坏工具	摘要=利用率(分数破坏或改变)为每个气我和过程p。		D	D(腐蚀)和D (CVD)	米
	BCF4 y»BC2F6, i, p, BCHF3, i, p和BC3F8, i, p = 排放因子对CF4排放的副产品,C2F6分别CHF3和C3F8气体我为每一个过程。		D	D(腐蚀)和D (CVD)	米
下游FC排放控制	航=我体积分数的气体输入过程与认证FC排放控制技术。		米	米	米
	浸=我一部分气体被排放控制技术。		D	维一	米
	dCHF3 dC2F6 dCF4, p, p, p和dC3F8, p = CF4的分数,C2F6, CHF3 C3F8副产品分别排放控制technology.b摧毁				米
年生产能力	Cd =年生产设计能力在衬底的表面处理(如硅、玻璃)。	米
	铜=年度产能利用率的分数	D /米
M =测量或获得这些值。D =使用默认从指导因素。 当可用和可支持的,M值可能代替层2 a和2 b D值。请参见表6.6条件。b没有默认值为2层和层2 b因为副产品的影响已经纳入泡气我的差值。

图6.1决策树FC排放量估算的电子制造业

图6.1决策树FC排放量估算的电子制造业

注意:

1。看到第一卷第四章,方法论的选择和识别关键类别(注意4.1.2节有限的资源),讨论关键的类别和使用决策树。

注意:

1。看到第一卷第四章,方法论的选择和识别关键类别(注意4.1.2节有限的资源),讨论关键的类别和使用决策树。

一级-默认方法

一级方法是最不准确的估计方法和应该使用只有在特定公司的数据不可用的情况。一级的方法,不同于层2或3方法,旨在给出一个聚合的估计FC排放虽然其方法似乎产生gas-specific排放。估计是同时对所有气体如表6.2所示,如果报告只能用于一套完整。

排放的计算依赖于一组固定的通用排放的因素。组的成员根据不同部门(或类)的电子产品制造(半导体、TFT-FPDs或光伏电池)。一组的每一位成员,这是一个gas-specific排放因子,表示平均排放单位的衬底区域(例如,硅,TFT-FPD面板或光伏蓄电池)在生产消耗。任何类的电子产品、因素(集)的成员是乘以年度产能利用率(铜、一小部分)和年生产设计能力(Cd,在单位的十亿平方米(Gm2))底物的过程。产品(C•Cd)估计量的底物消耗在电子产品制造。每年排放的结果是一组用千克表示气体组成一组的每个类的电子产品。因为在光伏制造FCs的使用差别很大,第三个因素占的比例光伏制造,需要采用FC估计FC排放的光伏电池制造。一级公式方程6.1所示。

方程6.1

一级的FC排放量的估算方法

(FC} = {EF。Ca。(CPV Cd。。S + (1 - S)]} (i = 1,…, n)

地点:

{FCi} n = FC的排放气体,气体的质量

注意:{}n代表每个类的产品(半导体、TFT-FPD或光伏电池)和n表示数量的气体包含在每一组(6个半导体、三TFT-FPD制造光伏电池和两个。见表6.2)。据估计只有有效如果制作和使用这个组的所有成员一级方法。

EFi = FC气体排放因素我表示为每平方米的年度质量排放衬底表面为产品类,(我)质量的气体/ m2

铜年度工厂产能利用率=分数、分数

Cd =年生产设计能力,Gm2of衬底加工,除了光伏制造业平方毫米

CPV =分数采用FCs的光伏制造,分数

S = 1时,方程6.1应用到光伏行业和零当方程6.1应用于半导体或TFT-FPD行业,无量纲

这种方法不占差异过程类型(蚀刻和清洁),个别流程或工具。它也不可能使用的帐户大气排放阀门设备。

使用一级、库存编译器不应该修改,以任何方式,FCs的设置在表6.2。库存编译器不应该结合使用一级排放估计方法和排放估计使用2或3层的方法。没有库存编译器可以使用,例如,CF4的一级因素估计CF4的排放从半导体和把它与其他俱乐部气体的结果从一个二线或三线的方法。(见6.2.2.1也部分。)

2层的方法——过程GAS-SPECIFIC参数

这种方法计算排放量的基础上使用的每个FC公司特有的天然气消费数据和排放控制技术。它使用行业的默认值“鞋跟”或分数购买天然气剩余的集装箱使用后(h),气体的部分“使用”(销毁或转换)半导体或TFT-FPD制造过程,和气体的分数转换成CF4 C2F6过程中。使用二级库存方法编译器必须直接沟通与行业(如年度排放报告)收集数据,确保排放控制技术安装和使用。

总排放量的总和等于排放气体生产过程中使用FCi加上CF4排放的副产品,C2F6 CHF3,造成C3F8气体FCi的使用。,如方程所示6.2、6.3、6.4、6.5和6.6。与3级和2 b方法解释之后在这一节中,二级方法不区分过程或流程类型(蚀刻和清洁),个别过程或工具。缺省排放因子代表加权平均(基于专家判断的重量),形成单独为每个气体,腐蚀和CVD过程。

下面讨论的部分排放因素,2层的方法使用过程的排放因子类型(CVD或腐蚀)的个人FC最常用于特定的电子行业。这种方法反映了当前的趋势,个人FCs往往是主要用于特定的流程类型(CVD或腐蚀)在每一个行业。然而,在国家的公司或工厂雷竞技手机版app,离开显著的行业模式使用(例如,通过使用气体主要在腐蚀而其他主要使用在CVD),库存编译器应该评估可能引入错误使用层2的方法,而不是层2 b方法。

方程6.2二级FC排放量的估算方法

地点:

气我,FCi =消费(如。,C2F6 CF4 C3F8、c-C4F8 c-C4F8O, C4F6, CsF8, CHF3, CH2F2, NF3, SF6气体),公斤h =剩余部分天然气集装箱(脚跟)使用后,分数Ui =使用气体速度我(分数销毁或转换过程中),分数ai =我分数的气体体积与排放控制技术用于流程(公司-或植物),分数di =我一部分气体被排放控制技术、分数

方程6.3 CF4排放的副产品

BPECF4,我= (1 - h)•BCF4我•FC,•(1 - ai•dCF4)

地点:

BPECF4,我=排放的CF4气体副产品,公斤BCF4 i =排放因子,公斤CF4创建/公斤天然气我使用dCF4 = CF4的副产品被排放控制技术、分数

方程6.4 C2F6排放的副产品

BPEC2F6i = (1 - h)•BC2F6我•FCi•(1 - ai•dC2F6)

地点:

BPEC2F6,我= C2F6从气体排放的副产品,公斤BC2F6, i =排放因子,公斤C2F6创建/公斤天然气我使用dC2F6 =分数C2F6副产品被排放控制技术、分数

方程6.5 chf3排放的副产品

BPECHF3i = (1 - h)•BCHF3我•FCi•(1 - ai•dCHF3)

地点:

BPECHF3我= CHF3从气体排放的副产品,公斤BCHF3 i =排放因子,公斤CHF3创建/公斤天然气我使用dCHF3 =分数CHF3副产品被排放控制技术、分数

方程6.6 C3F8排放的副产品

BPEc3f8,我= (1 - *)•Bc3f8我•FCt•(1 - a•d (

地点:

BPEC3F8我=排放的C3F8气体副产品,公斤BC3F8, i =排放因子,公斤C3F8创建/公斤C3F8气体我使用dC3F8 =分数的副产品被排放控制技术、分数

后估计我(Ei)的排放的气体和CF4 C2F6, CHF3和C3F8副产品排放气体(BPECF4i、BPEC2F6i BPECHF3i和BPEC3F8i),库存编译器或公司应该和这些所有气体排放估计总FC排放总量。

层2 b方法——过程特定类型参数

层2 b的方法需要每个气体的总数量的数据输入所有蚀刻过程和清洗过程(FCi, p)。因此,它广泛的过程类型之间的区别只有(蚀刻与CVD室清洗),但它并不区分许多可能的个体过程或小的过程。行业默认值可以用于任何或所有下列:

•剩余气体的分数后的集装箱使用称为“鞋跟”(h);

•气体的部分“使用”(销毁或转换)每个进程类型(摘要);

•CF4的排放因子过程中副产物排放类型(BCF4ip);

•排放因素C2F6排放过程中副产品类型(BC2F6ip);

•排放因素CHF3副产品排放过程中类型(BCHF3ip));和

•排放因素C3F8排放过程中副产品类型(BC3F8ip)。

违约也呈现(见表6.6)的一部分气体被排放控制技术通过流程类型(dC2F6 dCF4 di, p, p, p, dCHF3p dC3F8, p)。除非安装排放控制技术,人工智能的默认值,p,气体体积分数的输入过程与排放控制技术,是零。默认值为Ui, p BCF4ip BC2F6ip, BCHF3ip和BC3F8 ip代表简单未加权的平均水平,分别为每个气体,形成整个腐蚀过程和所有心血管疾病进程。公司或植物排放因素可能代替默认值时可用。梅特的方程考虑植物的使用设备,但不占差异个体过程或工具或制造工厂中他们的混合过程和工具。因此,层2 b估计会比三线不准确的估计。同时,注意层2 b方法适用于半导体和TFT-FPD制造。

排放造成的使用一个特定的足球俱乐部(FCi)由FCi本身加上CF4的排放,排放C2F6, CHF3 C3F8使用FCi期间创建的副产品。下面的计算应该为每一个过程对每个气体重复类型:

方程6.7层2 b FC排放量的估算方法

E = (1 - h) ^ z [FChp•(uhp)•(- a, p•设计马力)]

地点:

Ei =排放的气体,公斤p =流程类型(蚀刻与CVD室清洁)

FCip =质量气体我输入过程类型的p(如CF4, C2F6, C3F8, c-C4F8, c-C4F8O, C4F6, C5F8, CHF3,“CH2F2 NF3, SF6气体),公斤h =分数集装箱的剩余气体(脚跟)使用后的分数

摘要=每个气体利用率和过程型p(分数破坏或改变),分数ai, p =我体积分数的气体输入过程p型与排放控制技术(公司或植物),分数di, p =我一部分气体被排放控制技术用于流程类型p(如果多于一个排放控制技术用于过程p型,这是分数的平均值被那些排放控制技术,其中每个分数加权的气体量送入工具使用这种技术),分数

方程6.8 CF4排放的副产品

BPECF 4, i = (l - E[供应量预计4,i, p•FCi, p•- ai, p•dCF 4 p J

地点:

BPECF4 l =排放的副产品CF4气体我转换使用,公斤

BCF4, p =排放因子对排放的副产品CF4我从天然气转换过程中p型公斤CF4创建/公斤天然气我使用dCF4, p = CF4的副产品被排放控制技术用于过程p型(例如,控制技术类型列在表6.6),分数

地点:

BPEC2F6 l =排放的副产品C2F6转换使用的气我,公斤

BC2F6l, p =排放因子对排放的副产品C2F6我从天然气转换过程中p型公斤C2F6创建/公斤天然气我用dC2F6 p =分数C2F6副产品被排放控制技术用于过程p型(例如,控制技术类型列在表6.6),分数

方程6.10 CHF3排放的副产品

BPECHF3,我= (l - h) E lBCHF3, i, p•FCi, p•(l - ai, p•dCHF3, p J

地点:

BPECHF3, i =排放的副产品CHF3转换使用的气我,公斤

BCHF3, p =排放因子对排放的副产品CHF3我从天然气转换过程中p型公斤CHF3创建/公斤天然气我使用dCHF3, p =分数CHF3副产品被排放控制技术用于过程p型(例如,控制技术类型列在表6.6),分数

方程6.11 C3F8排放的副产品

BPEC 3 f 8,我= (l - h) l ^ \公元前3 f 8, i, p•货代,p•(ur, p•dC3F 8 p p J

地点:

BPEC3F8我=排放的C3F8气体副产品,公斤

BC3F8, p =排放因子对排放的副产品C3F8气体我改造的过程类型p,公斤C3F8创建/公斤天然气我用dC3F8 p =分数C3F8副产品被排放控制技术用于过程p型(例如,控制技术类型列在表6.6),分数

注意,在特定的腐蚀或清洁配方,可以同时使用多个FC前体和CF4的排放,C2F6 CHF3或C3F8作为副产品可能源自每一个个体FC前体分解。在这种情况下,CF4的排放、C2F6 CHF3或C3F8副产品应该报道来自FC气体质量流量最大的。

三线方法——与进程相关的参数

三线方法也使用方程6.7,6.8,6.9,6.10和6.11。然而,这种方法需要特定公司或植物的所有参数的值用于这些方程为每个单独的进程或为每个小集的过程(例如,氮化硅蚀刻或等离子体增强化学气相沉积(PECVD) "工具室清洁)。因此,当使用方程6.7,6.8,6.9,6.10和6.11,库存编译器需要解释“p”在这些方程作为一个特定的“过程”(例如,氮化硅蚀刻或等离子体增强化学气相沉积(PECVD) "工具室清洗),而不是“流程型”。

为目的的透明度和可比性,用于这些排放参数的值应该记录(参见6.2.2节)。

在半导体制造CF4形成从C-containing电影

层2层2 b和三线方法占CF4排放形成期间通过蚀刻去除含碳低介电常数(k)材料或清洗CVD反应器含有低k或硬质合金薄膜半导体生产过程中。CF4可能即使FC前体形成不含碳或者FC前体不是一种温室气体。

例如,清洁低k CVD反应器与NF3生产CF4作为副产品。在这些情况下,方程6.7应该用于报告NF3排放,方程6.8的结果应该被用来反映排放CF4的过程。在这些情况下F2、COF2或ClF3用于室清洁,CF4也可能形成。在这种情况下,CF4排放估计使用方程6.8和获得的结果添加到CF4排放总量从方程6.7。在这两种情况下,BCF4ip应该测量产生的CF4的质量分数在清洁或腐蚀气体的质量介绍了反应堆。

后估计每个FC气体和CF4的排放,排放C2F6, CHF3和C3F8副产品、库存编译器或公司应该和这些所有气体排放到达估计总FC排放从一个特定的过程。

盒6.1

半导体制造的示例

例如,如果一个源使用NF3(室清洁和腐蚀),CHF3(腐蚀)和CF4(腐蚀),总排放量,如果低k电影使用,估计使用方程6.7 NF3, CHF3 CF4和方程6.8 CF4的形成消除低k电影与NF3时形成的。方程形式,总数是:

FC排放总量= Enf3 + Eqhf3 + Ecf4 + BPEcf4 nf3

继续阅读:传热流体

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